Nitrure aliminyòm (AlN) se yon seramik avanse estratejik pou semi-conducteurs twazyèm -jenerasyon, ki gen gwo konduktiviti tèmik ak izolasyon elektrik siperyè. Kondwi pa pwochen -jenerasyon elektwonik gwo-pouvwa, mache mondyal AlN la kenbe kwasans solid alontèm-.
1.Supply Konsantrasyon & Dinamik Rejyonal yo
En monopoli: gwo -pite, ba- oksijèn AlN poud ak prim DBC/DPC seramik substrate mache a trè konsantre. Manifaktirè Japonè yo kontwole ~ 60% nan segman substra prim lan, pandan y ap Rogers Corporation (USA) domine aplikasyon RF frekans segondè. AlN yon sèl -pwodiksyon substrate kristal rete restriksyon nan yon ti ponyen nan US ak Japonè antrepriz.
Konsomasyon Rejyonal: Rejyon Azi-Pasifik la reprezante plis pase 60% demann mondyal la. Ki apiye pa gwo chèn ekipman pou semi-conducteurs, EV, ak telecom, Lachin se mache ki pi rapid -ap grandi ak yon to kwasans domestik 21.4%. Demann nan Amerik di Nò ak Ewopeyen an santre sou segondè-AI informatique, ayewospasyal, ak semi-conducteurs pouvwa otomobil.
Chanjman Kapasite: Gwo ekonomi (US, Japon, Inyon Ewopeyen) te deziyen AlN kòm yon materyèl estratejik kritik pou jesyon tèmik semi-conducteurs. An menm tan, swe ekosistèm gaya en li yo, Lachin te kase bouche teknik nan pirifikasyon poud ak SINTERING presizyon. Sant gravite pou pwodiksyon mondyal AlN ap deplase nan direksyon Azi, ak kapasite prim ki fèk ajoute nan pwovens Lazi ki reprezante plis pase 50% nan total mondyal la.
2.Downstream Chofè Demand yo
AI & Optical Kominikasyon: Deplwaman 800G/1.6T/3.2T modil optik te fè substrats seramik AlN yon spesifikasyon estanda. Kòm pisans sèvè AI anlè-niveau a depase 30kW pou chak etajè, refwadisman chip ki gen gwo-dansite depann antyèman sou AlN, ki bay yon CAGR sou-sektè plis pase 30%.
Machin elektrik (EVs): Tranzisyon a 800V segondè -achitekti vòltaj kondwi entegrasyon masiv nan aparèy pouvwa Silisyòm Carbide (SiC) (modil MOSFET), ki lou enkòpore substrats AlN pou jesyon tèmik.
Optoelectronics Deep UV: Adopsyon mondyal UVC deep-LED UV pou esterilizasyon ak litografi depann sou substrats AlN sèl-kristal kòm transpòtè aparèy debaz la. AlN sèvi tou kòm yon lasi esansyèl -substra matche pou epitaksi Galyòm Nitrure (GaN), k ap grandi nan 11.53% chak ane.
Ayewospasyal ak Endistriyèl High-Fin Faktori: Amelyorasyon nan varyateur depo enèji ak gwo-konvètisè PV pouvwa piti piti ogmante demann AlN. Gwo-marge, demann ki estab pèsiste pou segondè-tanperati ak korozyon-konpozan estriktirèl AlN ki reziste nan ayewospasyal.
Patenarya ak YC LASER pou machin presizyon AlN
Reyalize pwosesis mikwo-krak-gratis, zewo-estrès se yon defi esansyèl pou substrats AlN akòz dissipation chalè rapid yo ak gwo frajil.
YC LASER (Wuhan Yuchang Lazè Enterprise), ki sitiye nan Valley Optical Lachin nan, opere yon eta--a-laboratwa atis dedye a pwosesis lazè nan seramik teknik. Te sipòte pa patenarya R&D ansanm ak Tsinghua University, Huazhong University of Syans ak Teknoloji, ak Wuhan Textile University, nou bay:
[Garanti 48-pwototip gratis] Pataje fichye CAD estanda ou yo oswa voye fèy substra anvan tout koreksyon ou yo nan laboratwa nou an. Nou pral ranpli yon tès echantiyon gratis nan 48 èdtan, retounen konpozan yo trete ansanm ak yon rapò jeni konplè ki kouvri vitès koupe ak mezi kwen-chipping pou evalyasyon teknik ou.
