Kit asistans gaz nesesè pou koupe lazè Silisyòm nitrure (Si₃N₄) depann de dansite materyèl ak epesè.
1. Senaryo aplikasyon
----Pore, ba-dansite Si₃N₄ (8mm): Èske yo ka koupe ak 1kW QCW lazè (pik 3kW) lè l sèvi avèk lè ak paramèt espesyalize; bon jan kalite se akseptab.
----Dans, cho-presse Si₃N₄ (8mm): Menm ak yon lazè pik 10kW, yo rekòmande asistans nitwojèn. È ta dwe evite.
2. Prensip kle yo
Pou 8mm epè Si₃N₄, koupe lazè enplike ablasyon tèmik ak gazeifikasyon. Asistan gaz jwe twa wòl enpòtan:
---- Retire rezidi fonn/vaporize: Tanperati ki wo pwodwi fonn Si ak SiO₂; san gaz, kerf la bouche, sa ki lakòz koupe enkonplè oswa chipping.
---- Fre epi anpeche fant: tablo epè akimile gwo estrès tèmik; gaz pote ale chalè, anpeche ka zo kase ak kwen chipping.
----Eskli oksijèn pou evite oksidasyon: Air oswa O₂ fòme yon kouch oksid, nwasi koupe a, ogmante brutality, ak diminye fòs.
3. Ede seleksyon gaz
----Azòt pite segondè (N₂, 99.99%): Ki pi komen ak pri-efikas; anpeche oksidasyon, soufle debri, refwadi, epi kite yon koupe pwòp. Presyon: 0.6-0.8 MPa. Apwopriye pou klip, kranpon pwezante, pati konplèks, semi-conducteurs, ak konpozan NEV.
----Agon pite segondè (Ar, 99.999%): Inaktif, pi piti zòn ki afekte chalè, koupe ekstrèmman lis ak prèske zewo chipping. Ideyal pou klas otomobil ak segondè-presizyon substrats men koute chè.
----Air oswa O₂ entèdi: Lakòz koupe nwa, bav, gwo chipping; akseptab pou seramik presizyon.
4. Paramèt pratik
---- Kalite lazè: Fib lazè / UV pikosecond
----Asiste gaz: N₂ pite segondè, 0.7MPa
---- Pouvwa: Fib lazè 500-1000W
----Metòd koupe: Koupe bag koupe, 3-4 pase pou anpeche fann
---- Konsantre: konsantre negatif (anba sifas materyèl la) asire ke inifòm kerf
YCLaser bay pwosesis lazè pou divès kalite materyèl difisil ak frajil, ki gen ladan echantiyon gratis ak optimize pwosesis.Kontakte nou pou yon solisyon Customized.
